买卖IC网 >> 产品目录 >> SSM6N57NU,LF MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

SSM6N57NU,LF

库存数量:8862
制造商:Toshiba
描述:MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
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制造商 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 12 V
漏极连续电流 4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 0.082 Ohms
配置 Dual
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 UDFN-6
封装 Reel
相关资料
供应商
  • SSM6N57NU,LF 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.91 0.91
    10 0.704 7.04
    100 0.558 55.8
    250 0.486 121.5
    3,000 0.3 900
    5,000 0 0